| 缩写名/全名 |
IEEE T DEVICE MAT RE
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY |
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| ISSN号 | 1530-4388 | ||||||||||||||||||||||||
| 研究方向 | 工程技术-工程：电子与电气 | ||||||||||||||||||||||||
| 影响因子 | 2015:1.437, 2016:1.575, 2017:1.512, 2018:1.583, 2019:1.407, | ||||||||||||||||||||||||
| 出版国家 | UNITED STATES | ||||||||||||||||||||||||
| 出版周期 | Quarterly | ||||||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 101 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 0 | ||||||||||||||||||||||||
| 是否OA | No | ||||||||||||||||||||||||
| 审稿周期(仅供参考) | 较慢,6-12周 |
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| 录用比例 | 较易 | ||||||||||||||||||||||||
| 投稿链接 | http://mc.manuscriptcentral.com/tdmr | ||||||||||||||||||||||||
| 投稿官网 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=7298 | ||||||||||||||||||||||||
| h-index | 63 | ||||||||||||||||||||||||
| CiteScore |
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| PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=1530-4388%5BISSN%5D | ||||||||||||||||||||||||
| 中科院SCI期刊分区 （ 2018年新版本） |
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| 中科院SCI期刊分区 （ 2020年新版本） |
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| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO 2 by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications Author: eexdhuang Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016. |
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